緣邊式相移光罩之模擬與研製

Abstract

為配合開發中的64百萬位元動態隨機存取記憶體(64M DRAM)的最小設計準 則(0.35~ 0.40微米)，只有應用相移光罩技術才能在不改變原有曝光設備 及製程的原則下，延續i-線微影成像技術的生命週期。根據文獻，目前僅 有緣邊式及調細式光罩能適用於各層IC線路，其製造容易(自我對準)，修 補及檢修較易的優點，為微電子工業界所重視。本文研究結合緣邊式及調 細式光罩優點的新型半透緣邊式(Halftone Rim；1993年本實驗室首次提 出)光罩在接觸窗及複晶線路一維及二維圖二維圖案的應用。利用TMA公司 之Depict III進行模擬結果發現，應用在接觸窗時，當配合低相干度曝光 設備，聚焦深度可達1.8微米，且具有高曝光操作寬容度及低曝光能量。 在線路的上應用聚焦深度在1.0∼1.2微米左右(最適參數控制下)。配合偏 軸發光則聚焦深度可達1.2∼1.5微米皆顯示(半透)緣邊式光罩適用於0.35 微米製程，值得工業界推廣。