标题: | 低热供应复晶矽薄膜电晶体之制造与特性 The fabrication and characterization of low-thermal-budget poly-Si TFTs |
作者: | 王裕达 Wang, Yu-Da 庄祚敏 郑晃忠 Zhuang, Zuo-Min Zheng, Huang-Zhong 应用化学系硕博士班 |
关键字: | 应用化学;化学;薄膜电晶体;低温;复晶矽薄电晶体;APPLIED-CHEMISTRY;CHEMISTRY |
公开日期: | 1995 |
摘要: | 薄膜电晶体(TFT)广泛地应用在半导体制造上,例如:主动式平面液晶显示器,高 密度静态随机存取记忆体等。欲提升薄膜电晶体的特性,复晶矽薄膜电晶体是较佳的 选择。在本文中,我们研制出低于600℃制程温度之复晶矽薄膜电晶体。以Si2H6为反 应气体,经由低压化学气相沉积系统成长的非晶矽薄膜;以600℃炉管做长时间固态 再结晶反应形成复晶矽薄膜,其晶粒尺寸大于传统以SiH4沉积而成的再结晶薄膜,在 300℃下使用电浆辅助化学沉积的低温介电层,以不同的介电层结构:氧化矽层/氮 化矽层/氧化矽层,氮化矽层,氧化矽层对低温研制之复晶矽薄膜电晶体特性的探讨 。 另外我们以Si2H6为反应气体,以不同的退火条件包含低温炉管退火结合快速高温退 火及二段式快速退火,可以得到高品质的复晶矽薄膜,并且可因此减少非晶矽经固态 再结晶所须冗长的退火时间,如此不但降低成本与时间,我们仍可以得到特性相当良 好的复晶矽薄膜电晶体。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT844500031 http://hdl.handle.net/11536/61329 |
显示于类别: | Thesis |