高深寬比X光深刻微結構陣列製作之研究

Abstract

本研究以高深寬比微圓柱陣列之製作為研究載具，設計一系列的實驗來探討X光深刻術中各次製程所產生之問題，並予以研究解決。主要的探討對象有二：(1)厚膜光阻塗佈特性及(2)X光深刻術中的顯影問題。 由實驗結果得知，在厚膜光阻塗佈特性方面，提高轉速及增加塗佈時間均能有效的改善膜厚之均勻性，但不易得到較厚之光阻膜。而本文中所提出之塗佈裝置改良設計較一般之傳統設計無論在改善膜厚均勻性或是邊緣尖角化的現象上均有較佳之結果。另一方面，在X光深刻術之改善顯影速率的問題上，為了使微結構陣列具有良好的品質，本文提出了利用比重差而使顯影產物迅速排除的反顯法，並與傳統之正顯法作一比較。結果顯示，反顯法不論在提高顯影速率、顯影後微結構之品質及顯影時間之可預測性上，均較正顯法為佳。