金氧半電晶體中通道不均勻由RTN引發電流擾動效應

Abstract

本文中探討了在90奈米CMOS製程之下，口袋埋置效應對於RTN帶來的衝擊。我們的研究成果顯示了由於沿著通道方向不均勻的門檻電壓分布，口袋埋置構造將會造成雜訊特性的劣化。文中將會提出一個簡單的兩區模型來討論口袋埋置效應，並藉著對SONOS使用熱電子寫入的方式來確定口袋埋置結構確實會對RTN造成影響 本文中另外也探討了通道長度效應和pMOS之間的關係，當元件尺件縮小，越小的通道長度將會因為口袋埋置濃度造成更嚴重的雜訊行為劣化。不同通道長度和不同口袋埋置濃度對元件造成的影響將會利用模擬的方式驗證。