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dc.contributor.author劉祐任en_US
dc.contributor.author邱俊誠en_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:52:40Z-
dc.date.available2014-12-12T02:52:40Z-
dc.date.issued2005en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009312578en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/78265-
dc.description.abstract本論文研究提供了一個低耗電、低雜訊的單一整合類比前端放大電路以擷取腦電波訊號。在人體中所有的生理訊號中,腦電波的強度最大只有約100μV並且分佈在超低頻帶(0.3Hz~100Hz),在使用微機電製程技術製作之針狀乾式電極量測腦電波的情況下,存在於量測電極間的偏差電壓將會造成電路的飽和。因此高共模拒斥比和低雜訊便是此電路的設計重點。此外,可攜式腦電波擷取系統有可應用於可走動的病人身上進行不間斷腦電波訊號量測,因此將腦電波量測電路整合成晶片自有其必要性,這也帶出了低功率消耗的需要。在本論文中利用電流平衡式實現此電路。本電路利用TSMC 0.18μm COMS Mixed-Signal RF General purpose MiM Al 1P6M 1.8&3.3V進行電路的設計與模擬驗證。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject腦電波zh_TW
dc.subject儀表放大器zh_TW
dc.subject低雜訊zh_TW
dc.subject低功率zh_TW
dc.subjectEEGen_US
dc.subjectInstrumentation amplifieren_US
dc.title應用於可攜式腦電波量測之低功率低雜訊類比前端放大電路zh_TW
dc.titleA low-power low-noise CMOS AFE ICen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電控工程研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文


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