NROM 記憶體之新測試流程

Abstract

NROM利用SONOS記憶體之結構，作為唯讀記憶體之應用，其擁有高儲存密度、可短時間出貨、一次可程式化之優點，為目前業界所最受歡迎的唯讀記憶體之一。業界現有之NROM測試流程，皆以實體缺陷(physical level defect)單元作為能否修補成功之依據。然而某些實體缺陷單元，在寫入資料後，不一定會產生錯誤，以至現有之測試流程會將某些可修補成功之晶粒歸類為缺陷晶粒，進而產生過度測試之現象。本論文針對NROM記憶體，提出一種新的測試流程，將修補程序延後至資料寫入後執行，以增加修補成功之機率，並提升良率。然而在晶圓階段測試時，無法得知寫入之資料，以藉此判斷是否要封裝某一晶粒，須利用實體缺陷單元去預測資料寫入後的真實缺陷單元，以判斷修補成功率。本論文針對此預測動作，推導一有效率且準確之數學機率公式，以確保所封裝之NROM晶粒能成功寫入資料之機率，達到控制封裝成本之目的。本論文透過業界實際之NROM記憶體，以及電腦模擬作為實驗，顯示所提出之新測試流程可有效地改進現有流程之良率，並驗證所提出之數學估計公式，能準確地預測資料寫入後可修補成功之機率。