Sn-Cu介金屬化合物的電遷移

Abstract

覆晶封裝是目前在高電流密度IC元件上的重要封裝之一。然而隨著消費電子產品微小化與可攜帶性的趨勢，銲錫接點的尺寸勢必隨之縮小，因此電遷移(electromigration)在可靠度的議題上將扮演重要的角色。然而隨著銲錫接點的縮小，IMC在bump中所佔的比例將隨之上升，且由於IMC有較好的抗電遷移性質，因此IMC的存在將對bump的lifetime有重要的影響。在本篇論文中，我們將利用FIB來製備具有不同stripe長度的Sn-Cu介金屬化合Blech structure，並且在225、250℃，真空度2.3×10－3torr的環境下施以~104 A/cm2以上的電流密度，藉由觀察每條stripe是否有電遷移破壞，來求出Sn-Cu介金屬化合的critical product。