由金屬有機高分子還原金奈米粒子之電荷儲存研究

Abstract

使用金屬奈米粒子當作浮動閘極(Floating Gate)的材料，具有許多優點，其主要優點為具有較高的功函數(High Work function)以及較佳的電荷捕捉能力。在本篇論文中，我們使用購買得來的高分子有機金屬溶液在熱烘烤下還原成金奈米粒子，並且使用UV-Ozone去除殘餘的有機物，所製作出來的金奈米粒子約為20 奈米。在我的研究中，將製作出來的金奈米粒子做成金氧半二極體結構，並且成功得到約2 V的記憶窗戶(Memory Window)。 從金氧半二極體的元件確認了藉由高分子有機金屬溶液還原得來的金奈米粒子具有捕捉電荷的能力後。接著將金奈米粒子作為浮動閘極的材料，藉由閘極電壓的操控，得到了約3 V的遲滯(Hysteresis)大小以及長達104 秒的記憶時間(Retention Time)，並且在次臨限擺幅(Subthreshold Swing)、開關電流比(On/Off Ratio)上都有不錯的表現。