共振腔發光二極體的製作與特性量測

Abstract

本論文的主要研究是設計、製作、以及特性量測650 nm波段的共振腔發光二極體(Resonant Cavity Light Emitting Diode, RCLED)。RCLED磊晶片的活性層是由三週期的 / 量子井所組成，上層和下層DBR分別是8週期和32週期的AlAs/ 。在結構變化方面，我們設計5個不同窗口尺寸，分別是直徑80、110、140、170和 。另外在圓環接觸開口的邊緣(或p-電極邊緣)和窗口邊緣的位移量d項，我們設計三種條件，分別是 、0、及 。實驗結果顯示窗口尺寸 及 的RCLED元件具有最大的光輸出功率1.18 mW和最大的量子效率1.93 %。任意窗口尺寸且d為 的RCLED相對於 和 有較大的光輸出功率。