隨機記憶體用超薄氧化鉭介電薄膜電容之研發

標題:	隨機記憶體用超薄氧化鉭介電薄膜電容之研發 Ultra Thin Ta/sub 2/O/sub 5/ Film Capacitor for DRAM
作者:	林鵬 LIN PANG 交通大學材料科學與工程系
關鍵字:	動態隨機存取記憶體;介電常數;薄膜;電容;濺渡;DRAM;Dielectric constant;Thin film;Capacitor;Sputtering
公開日期:	2000
官方說明文件#:	NSC89-2215-E009-027
URI:	http://hdl.handle.net/11536/88478 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=525776&docId=95664
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