下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	荊鳳德	en_US
dc.contributor.author	CHIN ALBERT	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:29:04Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:29:04Z	-
dc.date.issued	2014	en_US
dc.identifier.govdoc	MOST103-2221-E009-178-MY3	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/88848	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8349447&docId=444796	en_US
dc.description.sponsorship	科技部	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體	zh_TW
dc.title	Next Generation One-Transistor DRAM	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫