適用於矽微波/毫米波元件晶圓級散射參數去嵌化技術之發展

Abstract

本計畫預計以一年的時間，發展適用於矽微波/毫米波元件晶圓級散射參數之去嵌化技術。我們將 適當地設計晶圓上的去嵌化結構(如open、short、thru 等標準結構)來扣除環繞於元件週遭的外部寄生 元件。經由合併運用傳輸線理論、串級結構概念與接地屏蔽技術，進而對待測元件測試結構的針墊與 內連線進行由射頻至毫米波頻段的寬頻特性分析。隨著無線通訊產品操作頻率持續提昇的同時，更加 突顯出矽微波/毫米波元件高頻特性分析之重要性，本應用性研究計畫之執行將可提高高頻量測與元 件模型之準確度。如此一來便可減少研發成本與產品上市時程，對國內通訊技術與經濟發展作出直接 貢獻。