採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(III)

標題:	採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(III) Operation Schemes and Advanced ONO Gate Stacks for High Performance and Reliable SONOS Flash Memory(III)
作者:	莊紹勳 Chung Steve S 交通大學電子工程系
公開日期:	2006
官方說明文件#:	NSC95-2221-E009-280
URI:	http://hdl.handle.net/11536/89828 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1309531&docId=241994
顯示於類別：	研究計畫