氣化氫氟酸在奈米金氧半電晶體之應用及其設備之開發(I)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	趙天生	en_US
dc.contributor.author	TIEN-SHENGCHAO	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:30:42Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:30:42Z	-
dc.date.issued	2005	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC94-2215-E009-071	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/90382	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1144023&docId=219417	en_US
dc.description.abstract	在我們之前的研究成果，已經可以感受到氣化氫氟酸可以明顯改進氧化層與矽界面。為能符合奈米電子技術發展所需之各種技術，我們在第一年、第二年將氣化氫氟酸應用在最新的技術，包含第一年目標:氣化氫氟酸不同晶向之遷移率影響，及其對絕緣層界面品質改進之機制研究、利用氣化氫氟酸製作系統晶片所需之高品質雙閘極氧化層；第二年目標:氣化氫氟酸對local strain n 型及p 型金氧半電晶體遷移率之影響、氣化氫氟酸對SiGe-(100), -(110), -(111) 之閘極氧化層品質及n 型及p 型金氧半電晶體遷移率之影響等。然而對氣化氫氟酸而言，在純度及安全性皆需考慮下，因此我們希望在計劃第三年能製作新一代較為安全的原型氣化氫氟酸系統。	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	氣化氫氟酸在奈米金氧半電晶體之應用及其設備之開發(I)	zh_TW
dc.title	Processes and System Development of HF-vapor for Nano MOSFETs$ Application(I)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子物理系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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942215E009071.PDF

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