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DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 陳文雄 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:32:42Z | - |
dc.date.available | 2014-12-13T10:32:42Z | - |
dc.date.issued | 2004 | en_US |
dc.identifier.govdoc | NSC93-2112-M009-032 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/91677 | - |
dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=979810&docId=182323 | en_US |
dc.description.abstract | 近年來由於半導體製程技術的快速發展,學術及產業界已能成功地製 備大小在十數奈米以下的量子點結構。由於量子能階和塊材的三維能階的 差異,電子經由量子點的侷限和激發等量子效應使得單電子電晶體及長時 間儲存的記憶元件有商業化的可能,但對於期間的產生-複合機制,甚至 塊材能階對於量子點侷限電子的作用仍僅有少數研究群進行探討。 為了觀察到這些量子點相關的特性,我們將改進原子力顯微鏡系統對 於探針受力回饋的靈敏度,量測侷限在單一個量子點內的電子對於靜電力 或表面電容的影響。再加上原子力顯微鏡可以達到原子級的空間解析度, 我們同時能夠研究量子點形貌以及表面能態對於侷限行為的作用,結合我 們研究群已有的顯微光學量測系統,將可以進行完整的量子點成長及電性 分析,以作為未來運用微結構獨特之性質發展新型奈米光電元件的基礎。 本計劃內容將包含的三個研究主題分述如下: 1. 自聚性量子點成長。 2. 量子點之原子力顯微鏡電性分析。 3. 表面能態對於量子點的影響。 | zh_TW |
dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 自聚性量子點 | zh_TW |
dc.subject | 顯微電性量測系統 | zh_TW |
dc.subject | 原子力顯微鏡 | zh_TW |
dc.subject | 表面能態 | zh_TW |
dc.title | 自聚性量子點顯微電性暫態量測研究 | zh_TW |
dc.title | Nano-Electrical Transient Characterization of Self-Assembled Quantum Dot | en_US |
dc.type | Plan | en_US |
dc.contributor.department | 交通大學電子物理系 | zh_TW |
顯示於類別: | 研究計畫 |