高效能動態起始電壓絕緣層上矽元件

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	趙天生	en_US
dc.contributor.author	TIEN-SHENGCHAO	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:33:37Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:33:37Z	-
dc.date.issued	2003	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC92-2215-E009-070	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/92168	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=873573&docId=167366	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	高效能動態起始電壓絕緣層上矽元件	zh_TW
dc.title	High Performance DTMOS SOI Devices	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子物理學系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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