以電子迴旋共振化學氣相沈積技術成長超薄閘極絕緣膜及可靠性之研究(II)

標題:	以電子迴旋共振化學氣相沈積技術成長超薄閘極絕緣膜及可靠性之研究(II) Fabrication and Reliability of Ultra-Thin Gate Dielectrics by ECR-CVD Technique (II)
作者:	張國明 CHANG KOW-MING 國立交通大學電子工程學系
關鍵字:	超薄閘極;可靠度;電子迴旋共振;化學氣相沈積法;介電薄膜;Ultra-thin gate;Reliability;Electron cyclotron resonance;Chemical vapor deposition (CVD);Dielectric thin film
公開日期:	2001
官方說明文件#:	NSC90-2215-E009-104
URI:	http://hdl.handle.net/11536/93462 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=665801&docId=126398
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