標題: 離子佈植技術在淺接面製作及介電材料後處理之應用
Applications of Ion Implantation on the Fabrication of Shallow Junctions and the Post-treatment of Dielectric Materials
作者: 曾堅信
國立交通大學毫微米實驗室
關鍵字: 離子佈置;淺接面;介電材料;隨機存取記憶體;洩漏電流;分凝;Ion implantation;Shallow junction;Dielectric material;DRAM;Leakage current;Segregation
公開日期: 1999
官方說明文件#: NSC88-2215-E317-006
URI: http://hdl.handle.net/11536/94269
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=418159&docId=74178
顯示於類別:研究計畫