标题: | 离子布植技术在浅接面制作及介电材料后处理之应用 Applications of Ion Implantation on the Fabrication of Shallow Junctions and the Post-treatment of Dielectric Materials |
作者: | 曾坚信 国立交通大学毫微米实验室 |
关键字: | 离子布置;浅接面;介电材料;随机存取记忆体;泄漏电流;分凝;Ion implantation;Shallow junction;Dielectric material;DRAM;Leakage current;Segregation |
公开日期: | 1999 |
官方说明文件#: | NSC88-2215-E317-006 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/94269 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=418159&docId=74178 |
显示于类别: | Research Plans |