标题: 离子布植技术在浅接面制作及介电材料后处理之应用
Applications of Ion Implantation on the Fabrication of Shallow Junctions and the Post-treatment of Dielectric Materials
作者: 曾坚信
国立交通大学毫微米实验室
关键字: 离子布置;浅接面;介电材料;随机存取记忆体;泄漏电流;分凝;Ion implantation;Shallow junction;Dielectric material;DRAM;Leakage current;Segregation
公开日期: 1999
官方说明文件#: NSC88-2215-E317-006
URI: http://hdl.handle.net/11536/94269
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=418159&docId=74178
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