深次微米元件內熱載子效應所造成汲極漏電流特性退化之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	汪大暉	en_US
dc.contributor.author	WANG TAHUI	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:36:59Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:36:59Z	-
dc.date.issued	1999	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC88-2215-E009-042	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/94320	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=418062&docId=74158	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	深次微米	zh_TW
dc.subject	熱載子	zh_TW
dc.subject	洩漏電流	zh_TW
dc.subject	退化	zh_TW
dc.subject	汲極	zh_TW
dc.subject	氧化層	zh_TW
dc.subject	金氧半場效電晶體	zh_TW
dc.subject	Deep submicrometer	en_US
dc.subject	Hot carrier	en_US
dc.subject	Leakage current	en_US
dc.subject	Degradation	en_US
dc.subject	Drain	en_US
dc.subject	Oxided layer	en_US
dc.subject	MOSFET	en_US
dc.title	深次微米元件內熱載子效應所造成汲極漏電流特性退化之研究	zh_TW
dc.title	Hot Carrier Stress Induced Drain Leakage Current Degradation in Deep Submicron MOSFET's	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子工程系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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