8吋矽晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計畫四：利用LPCVD法成長Ta/sub 2/O/sub 5/薄膜與特性分析(I)

標題:	8吋矽晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計畫四：利用LPCVD法成長Ta/sub 2/O/sub 5/薄膜與特性分析(I) Growth and Characterization of LPCVD Ta/sub 2/O/sub 5/ Thin Films (Ⅰ)
作者:	曾俊元 TSEUNG-YUENTSENG 交通大學電子工程系
關鍵字:	五氧化二鉭;低壓化學蒸鍍法;晶圓;薄膜生長;Tantalum pentaoxide;LPCVD;Wafer;Thin film growth
公開日期:	1997
官方說明文件#:	NSC86-2221-E009-045
URI:	http://hdl.handle.net/11536/95211 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=293407&docId=53716
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