複晶矽薄膜電晶體相關技術之開發與研究---子計畫III：複晶矽薄膜電晶體之研究與應用(II)

Abstract

於本計畫中, 吾人擬研究：(1)製作高性能複晶矽薄膜電晶體；(2)其元件線路模式；(3)及其於線路上之應用。研究之細目為：(一)氮離子佈植多晶矽薄膜電晶體之研製:研究氮離子佈植對多晶矽薄膜電晶體物性和電性的影響。(二)氟離子佈植多晶矽薄膜電晶體之研製:研究氟離子佈植對多晶矽薄膜電晶體物性和電性的影響。(三)氮化矽及氮化多晶矽薄膜電晶體之研製:研究氮化矽閘介電層及氮化處理對多晶矽薄膜電晶體物性和電性的影響。(四)使用快速加熱退火製程在複晶矽薄膜電晶體的應用：研究快速加熱退火製程對多晶矽薄膜電晶體物性和電性的影響。(五)薄液相沈積閘氧化層複晶矽薄膜電晶體之研製：研究以薄液相沈積氧化層作為複晶矽薄膜電晶體閘氧化層的應用。(六)設計製造一種新結構的 poly-Si TFT 元件以降低其漏電流，並使此poly-Si TFT有效應用在主動矩陣顯示器的切換元件上。(七)垂直式複晶薄膜電晶體之研製：研究開發新型結構的垂直式複晶矽薄膜電晶體。(八)單閘極及雙閘極電晶體之電腦分析模擬模式：研究單閘及雙閘電晶體應用於電腦分析時其模式為何。(九)四值之雙重閘極靜態隨機存取記憶體研製：研究利用雙重閘極電晶體所構成新的能存四個值的靜態隨機存取記憶體。