| 標題: | 化學氣相沉積擴散障礙層和鋁在極大型積體電路金屬連線之先導性研究(II) Chemical Vapor Deposition of Barrier Metal and Aluminum for ULSI Metallization (II) |
| 作者: | 蘇翔 國立交通大學電子工程學系 |
| 關鍵字: | 化學氣相沉積法;金屬化;極大型積體電路;鋁;CVD;Metallization;ULSI;Aluminum |
| 公開日期: | 1996 |
| 官方說明文件#: | NSC85-2215-E009-055 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/96146 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=235104&docId=43197 |
| Appears in Collections: | Research Plans |
