高功率0.808和0.98μm雷射(邊射型)

標題:	高功率0.808和0.98μm雷射(邊射型) High Power 0.808 and 0.98.mu.m Semiconductor Lasers
作者:	黃凱風 HUANG KAI-FENG 國立交通大學電子物理學系
關鍵字:	高功率半導體雷射;分子束磊晶;鏡面氧化毀損;High power semiconductor laser;Molecular beam epitaxy;Catastrophic opiticaldamage
公開日期:	1996
官方說明文件#:	NSC85-2215-E009-020
URI:	http://hdl.handle.net/11536/96167 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=230448&docId=41895
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