新高密度及高速靜態隨機存取記憶細胞元及其記憶系統---設計及製造(I)

标题:	新高密度及高速静态随机存取记忆细胞元及其记忆系统---设计及制造(I) New High-Density and High-Speed SRAM Cells and Memory System---Design and Fabrication (I)
作者:	吴庆源国立交通大学电子工程学系
公开日期:	1996
官方说明文件#:	NSC85-2215-E009-049
URI:	http://hdl.handle.net/11536/96206 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=218545&docId=38695
显示于类别：	Research Plans

APA	吴. (1996). 新高密度及高速静态随机存取记忆细胞元及其记忆系统---设计及制造(I). https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=218545&docId=38695.
Bibtex	@article{1996, title={新高密度及高速静态随机存取记忆细胞元及其记忆系统---设计及制造(I)}, author={吴庆源}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=218545&docId=38695}, year={1996}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/96206?locale=zh_CN}, }