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dc.contributor.author莊紹勳en_US
dc.contributor.authorChung Steve Sen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:39:32Z-
dc.date.available2014-12-13T10:39:32Z-
dc.date.issued2001en_US
dc.identifier.govdocNSC90-2215-E009-065zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/96596-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=665692&docId=126371en_US
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject高介電閘zh_TW
dc.subject介電層zh_TW
dc.subject電漿製程zh_TW
dc.subject可靠性zh_TW
dc.subject金氧半場效電晶體zh_TW
dc.subjectHigh dielectric gateen_US
dc.subjectDielectric layeren_US
dc.subjectPlasma processen_US
dc.subjectReliabilityen_US
dc.subjectMOSFETen_US
dc.title高介電閘氧化層深次微米MOS元件電漿製程傷害可靠性之研究zh_TW
dc.titleStudy of the Plasma Induced Reliabilities in High-K Gate Dielectric Submicron MOSFETsen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學電子工程學系zh_TW
顯示於類別:研究計畫


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