蕭特基能障金氧半電晶體元件研製與理論分析---子計畫II：蕭特基能障SOI金氧半電晶體元件研製與分析

Files

902215E009080.pdf (449.97 KB)

902215E009080.pdf (449.97 KB)

Date

Authors

Keywords

蕭特基能障 , 絕緣矽 , 金氧半導體場效電晶體 , Schotty barrier , Silicon-on-insulator (SOI) , MOSFET

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=665749&docId=126386
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/96752

Collections

研究計畫;;Research Plans