蕭特基能障金氧半電晶體元件研製與理論分析---子計畫II：蕭特基能障SOI金氧半電晶體元件研製與分析

標題:	蕭特基能障金氧半電晶體元件研製與理論分析---子計畫II：蕭特基能障SOI金氧半電晶體元件研製與分析 Fabrication and Characterization of SOI Schottky Barrier MOSFET
作者:	黃調元 TIAO-YUANHUANG 國立交通大學電子工程學系
關鍵字:	蕭特基能障;絕緣矽;金氧半導體場效電晶體;Schotty barrier;Silicon-on-insulator (SOI);MOSFET
公開日期:	2001
官方說明文件#:	NSC90-2215-E009-080
URI:	http://hdl.handle.net/11536/96752 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=665749&docId=126386
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