蕭特基能障金氧半電晶體元件研製與理論分析---總計畫

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Keywords

蕭特基能障 , 理論分析 , 金氧半導體元件 , Schotty barrier , Theoretical analysis , MOS device

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=665743&docId=126385
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/96696

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研究計畫;;Research Plans