金屬及金屬矽化物技術(II)

Abstract

在超大型積體電路(VLSI)應用上,經常使用鋁 □多晶矽□金屬多晶矽化物及金屬矽化物來當 活性區接觸或多層間之接道(Via/Plug)材料.然而, 這些材料在高密度及高性能極大型積體電路應 用上不再滿足需求,因為有較大之縱橫比(Aspectratio)□較高相互連接電阻□電子遷移及材性極 限等問題.本計畫,我們將以低溫低壓(電子迴旋 加速共振)超音真空化學氣相磊晶技術有系統 研究W/TiSi/sub 2/或TiN或TiW或WSi/sub x//Si接觸及 Al/W/Al接道(Via/Plug)金屬材料技術在極大型積體 電路上(ULSI)之應用.全部(Blanket)及選擇性( Selective局部)模式之鎢(W)化學氣相沈積技術將 做研究比較.同時研究工作將包含新的反應器 設計(冷壁式)□新的沈積化學□新的乾式蝕刻 技術□黏接層□步階覆蓋□平坦化□低溫氧化 物及氮化物絕緣層等.氣體流速□氣體流入型 態壓力□基板溫度□支持台旋轉及微波電力等 對材料特性效應將被考慮,實驗分析將包括SEM □TEM□SIMS□RBS□SRM□RGA□DLTS□TDDB□粗糙度( 晶粒大小)□純度□I-V(接觸電阻及漏電流)□C-V 及接觸可造度(MTF,電子遷移).本實驗研究結果 將提供高性能ULSI CVD-W技術給電子工業界.