光電及微波元件技術發展---子計畫三：磊晶及薄膜材料成長

Abstract

本計畫分為二部分:(1)鈍化技術;(2)磊晶層摻 雜.(1)元件鈍化技術之研究:a.元件鈍化技術所 需之Si3N4成長,包括PECVD,Photo-CVD和ECR-CVD;b.鈍化 層材料品質或成長方式對元件特性在穩定度, 可靠度(環境抗變強度)之影響;c.提供HBT, HEMT和 雷射二極體等元件之最適當鈍化技術;(2)摻雜 磊晶膜之研究:因加入雜質後會影響磊晶層成 長特性及元件之諸多特性.a.摻雜源包含:C、Zn 、Be、Se和Si;b.磊晶種類:GaAs、InGaAsP、AlInGaP和InGaP;c.加了雜質後磊晶層物理現象之探討;d.C、 Be、Zn、Se和Si對元件特性改善之比較,如磊晶難 易度、熱穩定度、直流與微波特性之改善,可 使用週期,金屬接觸特性;e.找出適合之摻雜方 去,以節省成本及改善元件特性.