高磁場對於半導內熱電子散射機構之效應

Abstract

本計畫是以量子力學方法研究像□-V半導體內, 在交叉垂直電場和磁場交互作用下之熱電子電輸 現象所產生之效應.在溫度相當高之情況下或極 低磁場下,電流與電壓之關係呈現出非線性關係. 電子之電輸過程可由電場強度,溫度梯度或濃度 梯度產生.對於後者所引起之電輸可能使材料產 生由一部份之能量輸入另外一部份.可是電子本 身卻無法藉此種電輸過程經電場由外界能源獲取 能量.然而,當電輸是經由電場引起產生時,電子可 由電場之直接能源持續不斷地供給能量,使電子 系統之全部能量一直不斷地增加.康威爾(Conwell)研究過電子與聲子或不純物作用之 充份條件.對於□-V化合物半導體,一些重要的散 射機構在高磁場下將扮演重要的角色:(i)聲振子散射;(ii)壓電散射;(iii)極化光振子散射;和(iv)游離不純物散射.