量子井線之製造與研究

標題:	量子井線之製造與研究 Fabrication and Evaluation of Quantum Well Wires
作者:	黃凱風 HUANG KAI-FENG 交通大學電子物理研究所
關鍵字:	量子井線;傾斜超晶格;活性離子蝕刻;Quantum well wires;Tilted superlattice;Reactive ion etch
公開日期:	1993
摘要:	本計畫將採用Mesa蝕刻及傾斜超晶格法分別製作一維電子系統之量子井線,Mesa蝕刻法中週期出現線條圖案之印製係使用類似製作DFB雷射光柵所用之全相製版技術(HolographicLithography),而Mesa則以活性離子蝕刻法製成.傾斜超晶格法係在稍微朝( 011)方向斜傾(100)晶片之台階上長傾斜超晶格,使電子受到超晶格週期性位能變化之影響,製成量子井線.製成之樣品將做TEM分析,並量取其 Photoluminescence及PhotoluminescenceExcitation光譜,以瞭解其光電特性.
官方說明文件#:	NSC82-0208-M009-040
URI:	http://hdl.handle.net/11536/97886 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=58334&docId=8570
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