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    下世代平面顯示器高性能銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體之設計、成長、製作與特性分析(I)
    (2012)
    張國明
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    CHANG KOW-MING
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    薄膜電晶體為平面顯示器重要的開關以及驅動元件，主動式液晶平面顯示器(AMLCD)為目前主流技術，而主動式有機發光二極體顯示器(AMOLED)為次世代顯示技術的主流，AMOLED具有自發光性、廣視角、高對比、反應速度快等優勢，目前智慧型手機市場已開始採用AMOLED面板，而銦鎵鋅氧化物為極具潛力發展薄膜電晶體之材料，本計畫利用首創大氣電漿鍍膜技術開發高性能銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體，具新技術價值以及低成本優勢，計畫分做三年執行，第一年將專注開發大氣電漿銦鎵鋅氧化物薄膜最佳化製程條件，並探討不同基板溫度、電漿源功率、銦鎵鋅比例、氧分壓、主動層厚度以及前驅物對薄膜電晶體特性做探討，第二年則引入高介電常數絕緣層並透過電漿處理絕緣層以及主動層搭配後處理來達到高性能的薄膜電晶體，第三年則研究接觸阻抗的議題，透過選擇不同的金屬，以及嵌入一層高摻雜的半導體層來降低接觸阻抗，並探討經過後續退火對於源/汲極與銦鎵鋅氧化物介面特性研究，最後則研究就不同的鈍化層對於薄膜電晶體的穩定性做探討，透過這些有組織且詳細的分析研究，來開發下世代平面顯示器之高性能銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體。
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    下世代平面顯示器高性能銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體之設計、成長、製作與特性分析(II)
    (2013)
    張國明
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    CHANG KOW-MING
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    下世代平面顯示器高性能銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體之設計、成長、製作與特性分析(III)
    (2014)
    張國明
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    CHANG KOW-MING
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    以電子迴旋共振化學氣相沈積技術成長超薄閘極絕緣膜及可靠性之研究(I)
    (2000)
    張國明
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    CHANG KOW-MING
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    國立交通大學電子工程學系
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    以電子迴旋共振化學氣相沈積技術成長超薄閘極絕緣膜及可靠性之研究(II)
    (2001)
    張國明
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    CHANG KOW-MING
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    國立交通大學電子工程學系
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    以電子迴旋共振化學氣相沈積技術成長超薄閘極絕緣膜及可靠性之研究(III)
    (2002)
    張國明
    ;
    CHANG KOW-MING
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    交通大學電子工程系
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    微小機電元件與系統之研究---子計畫一：電容性微感器及微控器元件結構設計與製造
    (1995)
    張國明
    ;
    CHANG KOW-MING
    ;
    國立交通大學電子工程研究所
    本群體計畫將整合本校具電子、機械、材 料、物理及應用化學等專才,研究發展矽基材 之電容性微感測器(microsensors)、微控器( microactuators)及微小機電系統(MEMS)(Micro-electro-mechanical systems).本子計畫將包含:(1) 感測器-如醫學用助聽器及氣流控制等高靈敏 度感測器;(2)控制器-氣體與流體閥及開關及光 通信等;(3)以回授感測器自校正之感測器及控 制器;(4)表面微小感測器.本計畫分三年實施,第 一年將研究Bulk micromachined微感測器結構製程設 計研究(含feedthrough結構製程設計)與製作.第二 年繼續元件製作之發展,元件製造評估及IC與感 測器積體設計製作及Surface micromachined微感測器 結構製程設計研究.第三年將研究控制器及表 面微小機電元件製作.本實驗研究結果未來將 提供高性能微感測器及微控制器MEMS系統技術 給電子工業界.
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    微小機電元件與系統之研究---總計畫
    (1995)
    張國明
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    CHANG KOW-MING
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    國立交通大學電子工程研究所
    本群體計畫將整合本校具電子、機械、材 料、物理及應用化學等專才,研究發展矽基材 之電容性微感測器(Microsensor)、微控器( Microactuator)及微小機電系統( Micro-electro-mechanicalsystem, MEMS).計畫將包含:(1) 電容性之感測器及控制器;a.感測器-如醫學用 助聽器及氣流控制等高靈敏度感測器;b.控制器-氣體與流體閥及開關及光通信等;c.以回授感 測器自校正之感測器及控制器;d.表面微小感測 器;(2)材料及製程發展與研究;a.製程技術(特別 是脫扣技術)使用在微小元件製作;b.微小元件 材料特性分析;c.工業應用微感測器包裝技術;d. 接通道(Feedthrouth)及接合技術;(3)電容性感測器 介面電路及測試;a.感測器功能分析;b.類比及數 位輸出;c.微小功率及與感測器製程匹配之ASIC. 本計畫分三年實施,第一年建立基本微小機械加工材料製程技術,感測器設計與製造及IC設計 ;第二年繼續材料技術之發展,元件製造評估及 IC與感測器積體設計製造技術;第三年將研究控 制器及表面微小機電元件.
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    微機電系統校際整合研究---子計畫一：電容性微感器及微控器元件結構設計與製造
    (1996)
    張國明
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    CHANG KOW-MING
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    國立交通大學電子工程學系
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    微機電系統校際整合研究---總計畫
    (1996)
    張國明
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    CHANG KOW-MING
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    國立交通大學電子工程研究所
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    新型低溫多晶矽薄膜電晶體結構設計及其製作方法與可靠性研究(I)
    (2003)
    張國明
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    CHANG KOW-MING
    ;
    國立交通大學電子工程研究所
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    極大型積體電路元件相關耐火金屬化物及電介質技術
    (1999)
    張國明
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    CHANG KOW-MING
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    交通大學電子工程研究所
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    極大型積體電路元件相關耐火金屬化物及電介質技術
    (1996)
    張國明
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    CHANG KOW-MING
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    國立交通大學電子工程學系
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    金屬及金屬矽化物技術
    (1995)
    張國明
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    CHANG KOW-MING
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    國立交通大學電子工程研究所
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    金屬及金屬矽化物技術(II)
    (1994)
    張國明
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    CHANG KOW-MING
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    國立交通大學電子工程研究所
    在超大型積體電路(VLSI)應用上,經常使用鋁 □多晶矽□金屬多晶矽化物及金屬矽化物來當 活性區接觸或多層間之接道(Via/Plug)材料.然而, 這些材料在高密度及高性能極大型積體電路應 用上不再滿足需求,因為有較大之縱橫比(Aspectratio)□較高相互連接電阻□電子遷移及材性極 限等問題.本計畫,我們將以低溫低壓(電子迴旋 加速共振)超音真空化學氣相磊晶技術有系統 研究W/TiSi/sub 2/或TiN或TiW或WSi/sub x//Si接觸及 Al/W/Al接道(Via/Plug)金屬材料技術在極大型積體 電路上(ULSI)之應用.全部(Blanket)及選擇性( Selective局部)模式之鎢(W)化學氣相沈積技術將 做研究比較.同時研究工作將包含新的反應器 設計(冷壁式)□新的沈積化學□新的乾式蝕刻 技術□黏接層□步階覆蓋□平坦化□低溫氧化 物及氮化物絕緣層等.氣體流速□氣體流入型 態壓力□基板溫度□支持台旋轉及微波電力等 對材料特性效應將被考慮,實驗分析將包括SEM □TEM□SIMS□RBS□SRM□RGA□DLTS□TDDB□粗糙度( 晶粒大小)□純度□I-V(接觸電阻及漏電流)□C-V 及接觸可造度(MTF,電子遷移).本實驗研究結果 將提供高性能ULSI CVD-W技術給電子工業界.
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    金屬線及空氣低介電常數介電質前瞻性積體技術開發(I)
    (2000)
    張國明
    ;
    CHANG KOW-MING
    ;
    國立交通大學電子工程學系
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    金屬線及空氣低介電常數介電質前瞻性積體技術開發(II)
    (2001)
    張國明
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    CHANG KOW-MING
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    國立交通大學電子工程學系
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    開發具備新型堆疊式閘極氧化層與自動對準增高式源/汲極結構之高效能低溫複晶矽薄膜電晶體(I)
    (2004)
    張國明
    ;
    CHANG KOW-MING
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    交通大學電子工程研究所
    本計劃主旨在於開發高品質的低溫堆疊式閘極氧化層以及自動對準升起型源/涉極的新型結構 低溫多晶矽薄膜電晶體及其製作方法。在此計劃中，我們提出二種高品質低溫堆疊式氧化層的製作 方法，並將其應用於我們提出的新型結構低溫多晶矽薄膜電晶體，如此的組合可大幅提昇薄膜電晶 體的場效電子遷移率、驅動電流以及元件整體的電流開/關比，並降低漏電流，以期獲得高效能低溫 複晶矽薄膜電晶體，並實現將周邊驅動電路製作於玻璃基板上的願景。 我們所提出的第一種新穎低溫堆疊式閘極氧化層是由四乙氧基矽/ 氮氧化矽 (TEOS/Oxynitride) 此兩種絕緣膜所組成的。此新穎堆疊式氧化層，利用電漿增強式化學氣相沈積 系統 (PECVD) 採連續製程方式，連續堆疊氮氧化矽絕緣層與TEOS 絕緣層，完全不會增加製程的複 雜度，非常適合作為TFT-LCD 產業的大尺寸面板之量產關鍵製程技術。 第二種新穎低溫堆疊式閘極氧化層是三層式的ONO 結構絕緣膜，由TEOS/Nitride/Oxynitride 此三層所組成。此ONO 結構氧化層是基於先前兩層式TEOS/Oxynitride 堆疊閘極氧化層的研發下， 進一步改良加入介電常數約為SiO2 兩倍的nitride 當作中間層，藉此提高閘極電容，進一步提升元 件的轉導而提升TFT 元件的電流驅動力。 為了更進一步改善低溫多晶矽薄膜電晶體的驅動電流，我們提出新型的自動對準式增高型源/汲 極結構的多晶矽薄膜電晶體，在雷射退火時，因為此新結構產生的溫度梯度效應，可以在通道中形 成晶粒較大複晶矽薄膜，進而提升元件的場效電子遷移率，另一方面增高型的源/汲極更可以降低元 件串聯電阻，更加大幅的提升元件特性，最後我們將先前開發的高品質閘極氧化層應用到此新型元 件中，將可獲得高效能的低溫多晶矽薄膜電晶體。 本計劃分三年實施，本年度首先開發出第一種高品質低溫堆疊式閘極氧化層的製作方法，找出 N2O 電漿氧化的最佳製程條件。第二年開發出第二種三層式的ONO 堆疊式閘極氧化層的製作方法，以 及三層堆疊氧化層的最佳厚度比例，以期獲得最佳電性與可靠度。在第三年，我們將在第一年與第 二年所開發出的新型堆疊式閘極氧化層應用到新穎的元件結構上，將可大幅提升元件電特性與可靠 度，此舉將可開發出超高效能的低溫多晶矽薄膜電晶體。
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