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Item type:Item, 12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫Ⅲ:利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(II)(2001) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG國立交通大學電子工程學系Item type:Item, 12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫III:利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(III)(2002) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG交通大學電子工程系Item type:Item, 12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫IV:利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(I)(2000) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG交通大學電子工程系Item type:Item, 12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫三:利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(II)(2000) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG國立交通大學電子工程學系Item type:Item, 8吋晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計劃IV:利用LPCVD法成長Ta/sub 2/O/sub 5/薄膜與特性分析(III)(1999) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG交通大學電子工程系Item type:Item, 8吋矽晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計畫四:利用LPCVD法成長Ta/sub 2/O/sub 5/薄膜與特性分析(I)(1997) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG交通大學電子工程系Item type:Item, SBT鐵電薄膜製備與特性的分析(II)(1999) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG交通大學電子工程系Item type:Item, SBT鐵電薄膜製備與特性的分析(III)(2000) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG交通大學電子工程系Item type:Item, SBT鐵電薄膜製備與特性的分析(IV)(2000) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG國立交通大學電子工程學系Item type:Item, 一維與二維的氧化鋅奈米材料之製作、結構與特性研究(I)(2004) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG交通大學電子工程系由於氧化鋅具有寬能隙和直接能隙的特性,所以在光電工業中,以氧化鋅為材料的光電元件,包括藍光和紫外光的光電元件,例如光激發二極體與雷射二極體等等,都引起非常廣泛的興趣與注意,然而,對於成功製備有用與重複性高的P型氧化鋅來說,都還沒有完整的報導出來,在以氧化鋅為基礎的光子與電子元件應用製作問世之前,必須先克服此一難題,本計畫的主要目標即為成功的製備P型氧化鋅奈米棒與薄膜,同時研究與探討其物理,電學與光學性質,預期將會使用磁控交流濺鍍方式,成長P型氧化鋅薄膜與氧化鋅薄膜之P-N接面,另外,並導入氣液固法,成長P型氧化鋅奈米棒和多層摻雜式的氧化鋅奈米棒異質接面結構。 此外,並運用霍爾法(Hall effect)與矽拜(seebeck)係數量測方式,來量測所成長之氧化鋅薄膜電性,且以電洞濃度,電阻係數與霍爾遷移率等係數,做為製程調整參數的依據,另外,並針對P型氧化鋅奈米棒與氧化鋅薄膜的電流電壓特性加以研究,同時也會應用氧化鋅奈米棒及其異質接面結構在場發射顯示器,光電元件與短波長雷射元件等相關應用的可能性進行評估,加以建立其應用範疇資料庫,最後,將會探討二維奈米結構與一維奈米結構的成長機制,分別量測其不同的激發光譜特性,進而研究材料物性型態與電學特性彼此之間的相互影響關係,得到較佳且重複性高的製程參數。Item type:Item, 一維與二維的氧化鋅奈米材料之製作、結構與特性研究(II)(2005) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG交通大學電子工程系Item type:Item, 奈米複合電磁波吸波材之研製(2005) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG交通大學電子工程系Item type:Item, 新世代鐵電非揮發性記憶元件(I)(2001) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG國立交通大學電子工程學系Item type:Item, 新世代鐵電非揮發性記憶元件(II)(2002) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG交通大學電子工程系Item type:Item, 新世代鐵電非揮發性記憶元件(III)(2003) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG國立交通大學電子工程學系Item type:Item, 正型氧化鋅奈米棒和薄膜/積層膜的製備和它們性質的探討(2003) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG國立交通大學電子工程學系Item type:Item, 氧化鋅基積層式變阻器之製備與電性(1995) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG國立交通大學電子工程研究所Item type:Item, 積層式氧化鋅變阻器衰化現象之研究(1996) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG國立交通大學電子工程學系Item type:Item, 薄膜超導元件的研制與特性探討---子計畫三:高溫超導陶瓷薄膜在電子元件的物理與技術(II)(1996) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG國立交通大學電子工程學系Item type:Item, 薄膜超導元件的研製與特性探討-----子計畫II:高溫超導陶瓷薄膜在電子元件的物理與技術(III)(1997) ;曾俊元 ;TSEUNG-YUENTSENG交通大學電子工程系