瀏覽 的方式: 作者 Wang, Tahui

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公開日期標題作者
2010快閃式記憶體和金氧半電晶體元件中單一電荷所導致的可靠性議題研究馬煥淇; Ma, Huan-Chi; 汪大暉; Wang, Tahui; 電子研究所
2013氧化鉿電阻式記憶體之操作方法與隨機電報雜訊研究王柏偉; Wang, Bo-Wei; 汪大暉; 陳旻政; Wang, Tahui; Chen, Min-Cheng; 電子工程學系 電子研究所
2008氮化矽快閃記憶體的暫態行為及其應用杜文仙; Tu, Wen-Hsien; 汪大暉; Wang, Tahui; 電子研究所
2016氮化矽快閃記憶體的橫向電場引致內部儲存電荷傳輸之數值模擬楊宇翔; 汪大暉; 陳旻政; Yang, Yu-Siang; Wang, Tahui; Chen, Min-Cheng; 電子研究所
2016氮化矽快閃記憶體的橫向電場引致內部儲存電荷傳輸之特性量測陳威郡; 汪大暉; Chen, Wei-Chun; Wang, Tahui; 電子研究所
1998穿遂氧化層漏電流之特性與模擬葉致鍇; Yeh, Chih-Chieh; 汪大暉; Wang, Tahui; 電子研究所
2017負電容場效電晶體之操作速度及可靠度探討杜欣憶; 汪大暉; Du, Sin-I; Wang, Tahui; 電子研究所
2015雙介電層低功耗電阻式記憶體之設計與最佳化楊勝博; Yang, Shang-Po; 莊紹勳; 汪大暉; Chung, Shao-Shiun; Wang, Tahui; 電子工程學系 電子研究所
2016電阻式記憶體及SONOS快閃式記憶體中介電層缺陷造成之可靠度效應研究鍾岳庭; 汪大暉; Chung, Yueh-Ting; Wang, Tahui; 電子工程學系 電子研究所
2017電阻式記憶體循環操作後導致讀取干擾錯誤時間劣化之研究許峻齊; 汪大暉; Hsu , Chun-Chi; Wang, Tahui; 電子研究所
2015電阻式記憶體操作後導致缺陷產生與寫入干擾錯誤時間劣化之研究林汶潔; Lin, Wen-Chieh; 汪大暉; Wang, Tahui; 電子工程學系 電子研究所
2011高介電係數金屬閘極平面式浮置閘極快閃記憶體特性及其微縮模擬房定樺; Fang, Ding-Hua; 汪大暉; Wang, Tahui; 電子研究所
2012高介電係數閘極電晶體之負偏壓溫度不穩定性引致臨界電壓改變量分佈之統計特性和模式李啟偉; Li, Chi-Wei; 汪大暉; Wang, Tahui; 電子工程學系 電子研究所
2008高電壓橫向擴散金氧半電晶體中暫態熱載子效應與元件模型之探討鄭志昌; Cheng, Chih-Chang; 汪大暉; Wang, Tahui; 電子研究所