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公開日期標題作者
1999氫氟酸氣態清洗及氮摻雜於閘極氧化層與複晶矽氧化層之應用陳建亨; Jiann Heng Chen; 雷添福; 趙天生; Tan Fu Lei; Tien Sheng Chao; 電子研究所
2006氮化矽層內嵌奈米矽晶體之SONOS型記憶體劉美君; Mei-Chun Liu; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2011氮化矽的氫與其應力對電晶體之影響廖家駿; Liao, Chia-Chun; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
1999深次微米的N型金氧半電晶體對銦原子超陡分佈之研究李耀仁; Yao-jen Lee; 施敏; 趙天生; S.M.Sze; T.S.Chao; 電子研究所
2013無接面奈米線場效電晶體之研究林可立; Lin, Ko-Li; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2017無接面與反轉式閘極全環繞複晶矽奈米線電晶體之特性比較與閘極偏壓可靠度分析蔡宗翰; 趙天生; Tsai, Tsung-Han; Chao, Tien-Sheng; 理學院應用科技學程
2013用於生物感測的新型多晶矽薄膜電晶體之研究嚴立丞; Yen, Li-Chen; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2005矽奈米元件量子修正理論暨模式應用比較之研究陳煒昕; Wei-Hsin Chen; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2010經由微波退火形成極薄且均勻厚度的鎳矽化物研究謝其儒; Hsieh, Chi-Ju; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2017自動駕駛關鍵技術之專利研究陳志承; 袁建中; 趙天生; Chen, Chih-Cheng; Yuan, Benjamin J.C.; Chao, Tien-Sheng; 理學院應用科技學程
2013藉由單分子層摻雜技術形成新穎的無接面多晶矽薄膜電晶體之研究黃品烝; Huang, Ping-Cheng; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2011表面形態及結晶條件對薄膜電晶體與非揮發性記憶體之影響劉劭軒; Liu, Shao-Xuan; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2002製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究趙天生; TIEN-SHENGCHAO; 交通大學電子物理系
2003製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究(II)趙天生; TIEN-SHENGCHAO; 國立交通大學電子物理學系
2004製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究(III)趙天生; TIEN-SHENGCHAO; 交通大學電子物理系
1998製程參數對複晶矽TEOS介電層特性之影響盧文泰; Wen-Tai Lu; 黃調元; 趙天生; Dr. Tiao-Yuan Huang; Dr. Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2003複晶矽鍺閘極之負偏壓溫度不穩定性研究吳明勳; Wu Ming Hsun; 趙天生; 電子物理系所
2002超薄先進閘極介電層之成長與特性研究：氮氧化矽與氧化鋯及其矽酸鹽陳宏瑋; Hung-Wei Chen; 黃調元; 趙天生; Tiao-yuan Huang; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2008超薄氧化鉿及氧化鋯鉿介電層之可靠度研究林玉喬; Lin, Yu-Chiao; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2017通道濃度與硼穿透對多晶矽無接面聚集型鰭式電晶體之影響詹宜得; 趙天生; Chan, Yi-De; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
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