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19998吋矽晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計畫II：LPCVD製程設備中加熱系統之熱輻射量測及晶圓熱應力分析(III)曲新生; CHU, HSIN-SEN; 交通大學機械工程研究所
19978吋矽晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計畫四：利用LPCVD法成長Ta/sub 2/O/sub 5/薄膜與特性分析(I)曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG; 交通大學電子工程系
19988吋矽晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---總計畫(II)林清發; LIN TSING-FA; 交通大學機械工程系
10-九月-2003Assessment of conservative weighting scheme in simulating chemical vapour deposition with trace speciesWu, JS; Hsiao, WJ; Lian, YY; Tseng, KC; 機械工程學系; Department of Mechanical Engineering
1996BESOI的製作林政男; Lin, Cheng-Nan; 蔡中, 荊鳳德; C. Tsai, Albert Chin; 電子研究所
1-八月-1999Copper chemical vapor deposition films deposited from Cu(1,1,1,5,5,5-hexafluoroacetylacetonate) vinyltrimethylsilaneLin, PJ; Chen, MC; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-一月-2018High-Performance LPCVD-SiNx/InAlGaN/GaN MIS-HEMTs With 850-V 0.98-m Omega.cm(2) for Power Device ApplicationsWang, Huan-Chung; Lumbantoruan, Franky Juanda; Hsieh, Ting-En; Wu, Chia-Hsun; Lin, Yueh-Chin; Chang, Edward Yi; 材料科學與工程學系; 電子工程學系及電子研究所; 國際半導體學院; Department of Materials Science and Engineering; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics; International College of Semiconductor Technology
1-四月-1994LOW-TEMPERATURE-PROCESSED POLY-SI THIN-FILM TRANSISTORS USING SOLID-PHASE-CRYSTALLIZED AND LIQUID-PHASE-DEPOSITED GATE OXIDEYEH, CF; CHEN, CL; YANG, YC; LIN, SS; YANG, TZ; HONG, TY; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1995LPCVD以SiH4低溫下成長高品質矽磊晶林柏村; Lin, B.C.; 荊鳳德; Albert.Chin; 電子研究所
1-一月-1995A NEW FABRICATION TECHNOLOGY FOR FIELD-EMISSION TRIODES WITH EMITTER-GATE SEPARATION OF 0.18-MU-MWANG, CC; LEE, WF; KU, TK; CHEN, MS; FENG, MS; HSIEH, IJ; CHENG, HC; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十二月-1994A SIMPLE AND EFFICIENT PRETREATMENT TECHNOLOGY FOR SELECTIVE TUNGSTEN DEPOSITION IN LOW-PRESSURE CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION REACTORCHANG, KM; YEH, TH; LI, CH; WANG, SW; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1996以SiH2Cl2成長之選擇性磊晶高永信; Kao, yung-shin; 蔡中, 荊鳳德; C. Tsai, Albert Chin; 電子研究所
2007低壓化學氣相沈積之BTBAS氮化矽薄膜在65奈米電晶體側壁空間層之應用(利用田口式實驗設計方法進行製程參數最佳化)李捷弘; 吳耀銓; 工學院半導體材料與製程設備學程
2000低壓化學沉積腔體中矽沉積速率之模擬研究蕭惟中; Wei-Chung Hsiao; 吳宗信; Jong-Shinn Wu; 機械工程學系
1998八吋矽晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計畫一：LPCVD製程設備之加熱及進氣系統設計、流場模擬與系統整合及建立(II)林清發; LIN TSING-FA; 交通大學機械工程系
1998八吋矽晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計畫二：LPCVD製程設備中加熱系統之熱輻射量測及晶圓熱應力分析(II)曲新生; CHU, HSIN-SEN; 交通大學機械工程系
1998利用CVD TEOS 在二矽烷複晶矽和堆疊結構複晶矽薄膜上沈積氧化層之特性分析陳萬得; Won-Der Chen; 雷添福; Tan-Fu Lei; 電子研究所
1996化學氣相沉積氮化矽之薄板製作與探討陳逸琳; Chen, Yi-Ling; 謝正雄; Shie, Jin-Shown; 光電工程學系
1998應用DSMC法分析垂直式旋轉基座LPCVD 之熱流場及薄膜沈積模擬楊寶明; Pao-Ming Yang; 陳俊勳; Chiun-Hsun Chen; 機械工程學系
2000應用DSMC法模擬垂直式旋轉基版LPCVD之熱流場及薄膜沈積蕭啟宏; Chi-Hong Hsiao; 陳俊勳; Chiun-Hsun Chen; 機械工程學系
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