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公開日期標題作者
19940.98微米波長砷化銦鎵扭曲量子井脊狀波導雷射研製李建平; LEE CHIEN-PING; 交通大學電子研究所
2000GaNAs與GaInNAs的磊晶成長與特性研究李威儀; LEE WEI-I; 交通大學電子物理系
1-三月-2013Probing the coexistence of semiclassical transport and localization in a two-dimensional electron gas using microwave radiationHsu, Chang-Shun; Kannan, E. S.; Portal, J-C.; Liang, C. -T.; Huang, C. F.; Lin, S. -D.; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1997三五族半導體量子光電元件研究李建平; LEE CHIEN-PING; 交通大學電子工程系
1996三五族半導體量子結構的物理研究及元件應用李建平; LEE CHIEN-PING; 國立交通大學電子工程學系
1999三五族氮化物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫II：GaN類半導體材料及物理結構之薄膜製備與特性研究(III)陳衛國; WEI-KUOCHEN; 交通大學電子物理系
2016以光致螢光量測研究C面ZnO/Zn0.88Mg0.12O不對稱雙重量子井的耦合效應吳雨帆; 謝文峰; Wu, Yu-Fan; Hsieh, Wen-Feng; 光電工程研究所
1997以固態磷分子束磊晶所長AlGaInP量子結構之光電研究黃凱風; HUANG KAI-FENG; 交通大學電子物理系
1997以自然氧化層製造半導體雷射之研究---子計畫I：自然氧化層折射導波量子井邊射型雷射黃凱風; HUANG KAI-FENG; 交通大學電子物理系
2013光激發載子於GaAsN/GaAs量子井 電滯曲線的影響謝朝勝; Hsieh, Chao-Sheng; 陳振芳; 電子物理系所
1998具應變之0.808UM高功效半導體雷射黃凱風; HUANG KAI-FENG; 交通大學電子物理系
1995半導體微結構物理特性的研究(I)褚德三; CHUU DER SAN; 國立交通大學電子物理學系
2000在(111)B砷化鎵基板上之砷化銦鎵/砷化鎵量子結構之研製及特性分析蔡富義; Fu-Yi Tsai; 李建平; Chien-Ping Lee; 電子研究所
2000寬能隙半導體材料及其結構之時域解析光譜之研究陳文雄; 交通大學電子物理系
2012將氧化鋅/氧化鎂鋅單量子井成長在c-面藍寶石基板之光學特性探討王宣民; Wang, Hsuan-Min; 謝文峰; Hsieh, Wen-Feng; 顯示科技研究所
2009氮化銦鎵量子井的光激發螢光之研究曾韋智; Tseng, Wei-Jhih; 林國瑞; Lin, Gray; 電子研究所
1997矽與矽鍺材料及元件之發展---總計畫張俊彥; CHANG CHUN-YEN; 交通大學電子工程研究所
1999砷化銦/砷化鋁銦應力補償之高速電晶體蔡中; 交通大學電子工程系
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