0.98微米波長砷化銦鎵扭曲量子井脊狀波導雷射研製

Abstract

本期計畫將在以往的研究成果的良好基礎 上,進行半導體雷射元件高溫,連續操作的研究 與實現.在過去的兩期計畫中,我們和交通部電 信研究所共同合作,已成功地研究製出低起始 電流、高量子效率等的0.98.mu.m InGaAs/GaAs/AlGaAs strained-layer量子井半導體雷射元件.同時,我們 也針對雷射結構中的厚度參數進行理論上和實 驗上的研究.因此,我們對0.98.mu.mInGaAs/GaAs/AlGaAs strained-layer量子井半導體雷射, 已經有了相當的了解,同時也獲致了相當的研 究成果發表於國際性或學術刊物上.由於過去 國內各研究單位,在半導體雷射的研究和製作 上,並沒有特別傑出,甚至可以和世界知名的實 驗室並駕齊驅的成果,所以很少人考慮到要將 其研製的半導體雷射元件做高溫的連續操作. 但是,近幾年來,國內的研究經費補助有所改善 下,成長晶體薄膜(Thin film)的磊晶機器,如MOCVD, MBE,已有多所研究單位獲得,並用於光電元件(諸 如半導體雷射等)的研製上,例如交大MBE實驗室 便已獲致多項良好的成果.而在0.98.mu.m半導體 量子井雷射的研究上,由於它對未來的光纖通 訊應用上,占有舉足輕重的地位,因此國內有些 研究單位也開始注意和投入,因為此方面的研 究不僅深具應用價值,同時也深具學術價值.也 因此,我們在本期計畫中,將本著以往良好的基 礎,做進一步的研製,以期能夠實際應用在光纖 通訊上.而此一計畫的重要性在於藉著此一計 畫的執行,建立真正屬於國內的自我技術.事實 上,這些經驗和技術的建立,也可以應用到其它 波長範圍的半導體雷射元件中,對於國內欲建 立和發展的光電工業將有相當的幫助和影響. 因為一個商業化的半導體雷射元件,其成本有 一大半(1/3~1/2)是耗費在包裝和生命期的測試等 後續動作上面.所以,本期計畫即在藉此建立光 電工業的基礎技術,期望能對國內正在起步的 光電工業有所貢獻.