瀏覽 的方式: 作者 莊景德

跳到: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
或是輸入前幾個字:  
顯示 1 到 20 筆資料,總共 88 筆  下一頁 >
公開日期標題作者
201528 奈米高介電係數金屬閘極製程操縱在 近/次臨界電壓之256kb 6T 靜態隨機存取記憶體李光宇; Li, Kuang-Yu; 莊景德; 黃威; Chuang,Ching-Te; Hwang, Wei; 電子工程學系 電子研究所
201728奈米近臨界電壓使用12顆電晶體搭配短反或閘型匹配線之管線化的三態內容可定址記憶體陳俊丞; 莊景德; 黃威; Chen, Jyun-Cheng; Chuang, Ching-Te; Hwang, Wei; 電子研究所
201628奈米高介電係數金屬閘極4kb先進先出記憶體劉皓軒; 莊景德; 電子工程學系 電子研究所
201240 奈米製程技術操縱在低操縱電壓及管線結構的512Kb 8T 靜態隨機存取記憶體朱俐瑋; Chu, Li-Wei; 莊景德; Chuang, Ching-Te; 電子研究所
201240奈米1.0Mb 6T管線化靜態隨機存取記憶體與三步階升壓型字元線和位元線降壓和適應性電壓偵測廖偉男; Liao, Wei-Nan; 莊景德; Chuang, Ching-Te; 電子研究所
201140奈米1.0Mb 6T管線化靜態隨機存取記憶體與步階升壓型字元線和適應性數據感知寫入輔助設計張琦昕; Chang, chi-Shin; 莊景德; Chuang, Ching-Te; 電子研究所
201340奈米製程技術操縱在低操縱電壓的256-Kb 8T 靜態隨機存取記憶體張智皓; Chang, Zhi-Hao; 莊景德; Chuang, Ching-Te; 電子工程學系 電子研究所
201440奈米製程技術操縱在低電壓的 256Kb 8T 雙埠隨機存取記憶體鄭銘慶; Zheng, Ming-Ching; 莊景德; Chuang, Ching-Te; 電子工程學系 電子研究所
20106T靜態隨機存取記憶體的設計與特性分析林宜緯; Lin, Yi-Wei; 莊景德; Chuang, Ching-Te; 電子研究所
2016Area-Power-Efficient 11-Bit Hybrid Dual-Vdd ADC with Self-Calibration for Neural Sensing Applications陳志明; 黃威; 莊景德; Chen, Jr-Ming; 電子工程學系 電子研究所
2015事件驅動能源控制之高能源效率氣體辨識系統黃羣穎; Huang, Chun-Ying; 黃威; 莊景德; Hwang, Wei; Chuang, Ching-Te; 電子工程學系 電子研究所
1-九月-2013以六電晶體為基礎架構之靜態隨機記憶體陣列莊景德; 周世傑; 黃威; 林宜緯; 蔡銘謙; 楊皓義; 杜明賢; 石維強; 連南鈞; 李坤地
1-二月-2012以史密特觸發器為基礎的鰭狀場效電晶體靜態隨機存取記憶體莊景德; 謝建宇; 范銘隆; 胡璧合; 蘇彬
1-十月-2014以史密特觸發器為基礎的鰭狀場效電晶體靜態隨機存取記憶體莊景德; 謝建宇; 范銘隆; 胡璧合; 蘇彬
2013低操作電壓奈米級靜態隨機記憶體電路設計連南鈞; Lien, Nan-Chun; 吳文榕; 莊景德; Wu, Wen-Rong; Chuang, Ching-Te; 電信工程研究所
16-一月-2012低電能靜態隨機存取記憶體莊景德; 楊皓義; 夏茂墀; 黃威; 陳家政; 石維強
21-一月-2015低電能靜態隨機存取記憶體莊景德; 楊皓義; 夏茂墀; 黃威; 陳家政; 石維強
21-三月-2014依據資料動態供電之隨機存取記憶體莊景德; 楊皓義; 林宜緯; 黃威; 石維強; 陳家政
1-三月-2012依據資料動態供電之隨機存取記憶體莊景德; 楊皓義; 林宜緯; 黃威; 石維強; 陳家政
16-二月-2012具容忍變異字元線驅動抑制機制之隨機存取記憶體莊景德; 林宜緯; 陳家政; 石維強