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公開日期標題作者
20025.8GHz CMOS低雜訊放大器的設計及新穎的雜訊模型之研究陳建羽; Chine-Yu Chen; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2000低溫複晶矽薄膜電晶體之研究石坤桓; K. H. Shih; 荊鳳德; 吳啟宗; Albert Chin; Chhi-Chong Wu; 電子研究所
2007低臨限電壓與高驅動電流之薄膜電晶體在金屬鋁與介電層氧化鑭鉿上之研究黃群懿; Chen-Yi Huang; 荊鳳德; Albert Chin; 電機學院微電子奈米科技產業專班
2013使用二氧化矽/氧化鋁介電層運用在氮化鎵鋁/氮化鎵 金屬-絕緣層-半導體電晶體的研究邱于建; Chiu, Yu-Chien; 荊鳳德; Albert Chin; 光電系統研究所
2007使用完全矽化閘極-高介電常數介電質之低臨界電壓金氧半電晶體陳冠霖; Guan Lin Chen; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2006先進大型積體電路整合之製程設計與元件特性金明鑄; Mingchu King; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2007具有低電壓以及良好電荷儲存能力之金屬-氧化層-氮化層-氧化層-矽結構非揮發性記憶體之研究楊學人; Hsueh-Jen Yang; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2002利用質子佈植之高阻值矽基板上被動元件射頻/微波特性及其應用詹歸娣; Kuei-Ti Chan; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2007可寫入抹除高介電常數氮氧化鉿金屬-絕緣層-矽 電容林俊賢; Chun-Hsien Lin; 荊鳳德; Albert Chin; 電機學院微電子奈米科技產業專班
2002場效電晶體高頻模型的建立及矽鍺合金層應用於高介電物質電晶體對電洞遷移率的改善黃志翔; ChihHsiang Huang; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2005射頻金氧半場效電晶體之電性效應與元件模型高瑄苓; Hsuan-ling Kao; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2004應用在802.11a和超寬頻系統之射頻CMOS線性功率放大器之設計林櫸壇; Gitime Lin; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2006應用於超寬頻3.1-10.6 GHz之無線接收端之低雜訊放大器之設計陳懿範　; Yi-Fan Chen; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2005應用於超寬頻3.1-10.6 GHz低雜訊放大器之設計王鴻瑋; Hung-Wei Wang; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2005應用於超寬頻3.1-10.6GHz無線接收端之疊接回授架構與低功率電流再使用架構之低雜訊放大器之設計張國慶; Kuo-Ching Chang; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2004新穎的金氧半電晶體雜訊模型與應用於超寬頻系統低雜訊放大器之設計賴照民; Zhaomin Lai; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2005於 3.1-10.6GHz 無線應用的超寬頻金氧半功率放大器陳科閔; Ke-Min Chen; 荊鳳德; Albert Chin; 電子研究所
2013氧化鍺覆蓋層在二氧化鈦與鋯鈦酸鉛基底之電阻式隨機存取記憶體之研究周坤億; CHOU KUN-I; 荊鳳德; 鄭淳護; Albert Chin; Chun-Hu Cheng; 電子工程學系 電子研究所
1999氮化矽閘極薄氧化層之研究廖益成; Y. C. Liao; 荊鳳德; 蔡中; Albert Chin; C. Tsai; 電子研究所
2004由應力產生超低雜訊金氧半電晶體在可撓曲塑膠基板上之影響與模擬曾月盈; Yueh-Ying Tseng; □鳳德; Albert Chin; 電子研究所
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