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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 HUANG, CM
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顯示 1 到 10 筆資料,總共 10 筆
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標題
作者
1-一月-1995
CHARACTERIZATION AND SIMULATION OF HOT CARRIER EFFECT ON ERASING GATE CURRENT IN FLASH EEPROMS
HUANG, CM
;
WANG, TH
;
CHEN, T
;
PENG, NC
;
CHANG, A
;
SHONE, FC
;
交大名義發表
;
National Chiao Tung University
1-十一月-1993
DEVICE AND CIRCUIT SIMULATION OF ANOMALOUS DX TRAP EFFECTS IN DCFL AND SCFL HEMT INVERTERS
WANG, TH
;
WU, SJ
;
HUANG, CM
;
交大名義發表
;
電子工程學系及電子研究所
;
National Chiao Tung University
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-九月-1994
EFFECTS OF HOT-CARRIER-INDUCED INTERFACE STATE GENERATION IN SUBMICRON LDD MOSFETS
WANG, TH
;
HUANG, CM
;
CHOU, PC
;
CHUNG, SSS
;
CHANG, TE
;
交大名義發表
;
電子工程學系及電子研究所
;
National Chiao Tung University
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1994
INTERFACE TRAP INDUCED THERMIONIC AND FIELD EMISSION CURRENT IN OFF-STATE MOSFETS
WANG, TH
;
CHANG, TE
;
HUANG, CM
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十二月-1994
INTERFACE-TRAP EFFECT ON GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE CURRENT IN SUBMICRON N-MOSFETS
WANG, TH
;
HUANG, CM
;
CHANG, TE
;
CHOU, JW
;
CHANG, CY
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-四月-1995
MECHANISMS OF INTERFACE TRAP-INDUCED DRAIN LEAKAGE CURRENT IN OFF-STATE N-MOSFETS
CHANG, TE
;
HUANG, CM
;
WANG, TH
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十一月-1992
MODELING HOT-ELECTRON GATE CURRENT IN SI MOSFETS USING A COUPLED DRIFT-DIFFUSION AND MONTE-CARLO METHOD
HUANG, CM
;
WANG, TH
;
CHEN, CN
;
CHANG, MC
;
FU, J
;
電控工程研究所
;
Institute of Electrical and Control Engineering
1-十二月-1995
STRUCTURAL EFFECT ON BAND-TRAP-BAND TUNNELING INDUCED DRAIN LEAKAGE IN N-MOSFETS
WANG, TH
;
CHANG, TE
;
HUANG, CM
;
YANG, JY
;
CHANG, KM
;
CHIANG, LP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-一月-1994
TERRAIN EXPLORATION OF A SENSOR-BASED ROBOT MOVING AMONG UNKNOWN OBSTACLES OF POLYGONAL SHAPE
CHEN, Z
;
HUANG, CM
;
交大名義發表
;
資訊科學與工程研究所
;
National Chiao Tung University
;
Institute of Computer Science and Engineering
1-二月-1995
TRANSIENT SIMULATION OF EPROM WRITING CHARACTERISTICS, WITH A NOVEL HOT-ELECTRON INJECTION MODEL
HUANG, CM
;
WANG, TH
;
交大名義發表
;
電子工程學系及電子研究所
;
National Chiao Tung University
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics