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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Lan, WH
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顯示 1 到 10 筆資料,總共 10 筆
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標題
作者
10-十二月-1998
AuBe Ohmic contacts to p-type ZnTe
Lan, WH
;
Lin, WJ
;
Cheng, YC
;
Tai, K
;
Tasi, CM
;
Wu, PH
;
Cheng, KH
;
Chou, ST
;
Yang, CM
;
Cheng, YC
;
Huang, KF
;
電子物理學系
;
光電工程學系
;
Department of Electrophysics
;
Department of Photonics
1-五月-2001
Beryllium-implanted P-type GaN with high carrier concentration
Yu, CC
;
Chu, CF
;
Tsai, JY
;
Lin, CF
;
Lan, WH
;
Chiang, CI
;
Wang, SC
;
光電工程學系
;
Department of Photonics
1-六月-1997
Characteristics of nonalloyed pseudomorphic high electron mobility transistors using InAs/InxGa1-xAs (x=-> 0) AlyGa1-yAs (y=0 -> 0.3) contact structures
Chen, SS
;
Lin, CC
;
Lan, WH
;
Tu, SL
;
Peng, CK
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
1-六月-1997
Characteristics of nonalloyed pseudomorphic high electron mobility transistors using InAs/InxGa1-xAs (x=-> 0) AlyGa1-yAs (y=0 -> 0.3) contact structures
Chen, SS
;
Lin, CC
;
Lan, WH
;
Tu, SL
;
Peng, CK
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
22-九月-2003
Effect of thermal annealing of Ni/Au ohmic contact on the leakage current of GaN based light emitting diodes
Hsu, CY
;
Lan, WH
;
Wu, YS
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
1-十月-2003
GaN-based light-emitting diodes with Ni/AuBe transparent conductive layer
Chen, LC
;
Hsu, CY
;
Lan, WH
;
Teng, SY
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
1-七月-1996
High performance non-alloyed pseudomorphic high electron mobility transistors
Peng, CK
;
Lan, WH
;
Tu, SL
;
Yang, SJ
;
Chen, SS
;
Lin, CC
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
2006
The influences of contact interfaces between the indium tin oxide-based contact layer and GaN-based LEDs
Hsu, CY
;
Lan, WH
;
Wu, YCS
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
1-八月-2004
Optical properties of Zn1-xCdxSe epilayers grown on (100)GaAs by molecular beam epitaxy
Kuo, MC
;
Chiu, KC
;
Shih, TH
;
Lai, YJ
;
Yang, CS
;
Chen, WK
;
Chuu, DS
;
Lee, MC
;
Chou, WC
;
Jeng, SY
;
Shih, YT
;
Lan, WH
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-十月-2005
Thermal annealing effect of indium tin oxide contact to GaN light-emitting diodes
Hsu, CY
;
Lan, WH
;
Wu, YCS
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering