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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Lin, SD
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顯示 1 到 17 筆資料,總共 17 筆
公開日期
標題
作者
28-二月-2005
Composition determination of semiconductor quantum wires by X-ray scattering
Hsu, CH
;
Tang, MT
;
Lee, HY
;
Huang, CM
;
Liang, KS
;
Lin, SD
;
Lin, ZC
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
15-一月-2001
Deep level transient spectroscopy characterization of InAs self-assembled quantum dots
Ilchenko, VV
;
Lin, SD
;
Lee, CP
;
Tretyak, OV
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2000
DLTS characterization of InAs self-assembled quantum dots
Ilchenko, VV
;
Lin, SD
;
Lee, CP
;
Tretyak, OV
;
交大名義發表
;
National Chiao Tung University
1-十二月-2002
GaAs metal-semiconductor-metal photodetectors with low dark current and high responsivity at 850 nm
Lin, SD
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-六月-2001
High performance InAs/GaAs quantum dot infrared photodetectors with AlGaAs current blocking layer
Wang, SY
;
Lin, SD
;
Wu, HW
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十二月-2001
Hole Schottky barrier height enhancement and its application to metal-semiconductor-metal photodetectors
Lin, SD
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十月-2003
InAs/GaAs quantum dot infrared photodetectors with different growth temperatures
Wang, SY
;
Chen, SC
;
Lin, SD
;
Lin, CJ
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十二月-2001
Investigation of electron-optical phonon interactions in moderate wide InxGa1-xAs/GaAs strained quantum wells
Lin, SD
;
Lee, HC
;
Sun, KW
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-八月-2005
An investigation of quantum states in ultra-small InAs/GaAs quantum dots by means of photoluminescence
Wu, CH
;
Lin, YG
;
Tyan, SL
;
Lin, SD
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
19-二月-2001
Low dark current quantum-dot infrared photodetectors with an AlGaAs current blocking layer
Wang, SY
;
Lin, SD
;
Wu, HW
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-四月-2002
Multicolor infrared detection realized with two distinct superlattices separated by a blocking barrier
Chen, CC
;
Chen, HC
;
Kuan, CH
;
Lin, SD
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
10-八月-2005
Photoluminescence of ultra small InAs/GaAs quantum dots
Lin, YG
;
Wu, CH
;
Tyan, SL
;
Lin, SD
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
14-一月-2002
Selective growth of single InAs quantum dots using strain engineering
Lee, BC
;
Lin, SD
;
Lee, CP
;
Lee, HM
;
Wu, JC
;
Sun, KW
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-一月-2005
Self-assembled GaAs antidots growth in InAs matrix on (100) InAs substrate
Lin, SD
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
14-十月-2002
Self-assembled GaAs antiwires in In0.53Ga0.47As matrix on (100) InP substrates
Lin, SD
;
Lee, CP
;
Hsieh, WH
;
Suen, YW
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-四月-2003
Thermal stability of plasma-treated ohmic contacts to n-GaN
Lee, CC
;
Lin, SD
;
Lee, CP
;
Yeh, MH
;
Lee, WI
;
Kuo, CT
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-三月-2003
Tunneling through InAs quantum dots in AlGaAs/GaAs double barrier resonant tunneling diodes with InGaAs quantum well emitters
Lin, SD
;
Lee, CP
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics