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2005n型通道與p型通道完全鎳自我對準矽化源/汲與閘極複晶矽薄膜電晶體之研究黃彥學; Yan-Syue Huang; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2004Study on the reliability of pMOSFETs with different nitrogen and fluorine implantation dosages于慶潭; Ging-Tan Yu; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2000先進深次微米金氧半場效電晶體基極與閘極工程之研究張勝傑; Sun-Jay Chang; 張俊彥; 趙天生; Chun-Yen chang; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2007先進金氧半場效電晶體閘極工程對改善元件特性及可靠度之研究羅文政; Wen-Cheng Lo; 張俊彥; 趙天生; Chun-Yen Chang; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2007具分離控制閘之隱藏式選擇性SONOS NAND記憶體元件之研究王冠迪; Kuan-Ti Wang; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2007具高介電常數閘極絕緣層的低溫多晶矽薄膜電晶體之研究馬鳴汶; Ming-Wen Ma; 雷添福; 趙天生; Tan-Fu Lei; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2007利用溶膠旋轉塗佈法備製鈦酸鈷高介電層高國興; Kuo-Hsing Kao; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2004動態臨界電壓金氧半電晶體之特性及可靠性研究李耀仁; Yao-Jen Lee; 黃調元; 趙天生; Tiao-Yuan Huang; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2006區域性應力通道之氧化鉿n型金氧半場效電晶體特性及可靠度之改善邱德馨; Te-Hsin Cjiu; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2004在(111)晶面基板上利用區域性應力通道提高電子遷移率之n型金氧半場效電晶體郭雅欣; Ya-Hsin Kuo; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2007應用高介電常數絕緣層與矽奈米微晶粒於超大型積體電路元件之研究陳建豪; Jian-Hao Chen; 雷添福; 趙天生; Tan-Fu Lei; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2005新型低溫複晶矽非揮發性奈米鍺晶體捕獲儲存層記憶體元件黃竣祥; Jyun-Shiang Huang; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2005新式奈米碳管電晶體製造與特性研究陳百宏; Bae-Horng Chen; 黃調元; 趙天生; Tiao-Yuan Huang; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2005新穎堆疊矽/鍺T型閘極複晶矽薄膜電晶體謝佩珊; Pei-Shan Hsieh; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2006氟氮離子摻雜應用於金屬閘極與高介電常數絕緣層之低溫多晶矽薄膜電晶體楊宗諭; Tsung-Yu Yang; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2004氣態氫氟酸清洗閘極氧化層及堆疊式閘極在不同晶面上之研究吳浩偉; Hao-Wei Wu; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2007氧化鉿閘極介電層之氟鈍化製程與應力工程的研究吳偉成; Woei-Cherng Wu; 趙天生; 賴朝松; Tien-Sheng Chao; Chao-Sung Lai; 電子物理系所
2006氮化矽層內嵌奈米矽晶體之SONOS型記憶體劉美君; Mei-Chun Liu; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2005矽奈米元件量子修正理論暨模式應用比較之研究陳煒昕; Wei-Hsin Chen; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2002超薄先進閘極介電層之成長與特性研究：氮氧化矽與氧化鋯及其矽酸鹽陳宏瑋; Hung-Wei Chen; 黃調元; 趙天生; Tiao-yuan Huang; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
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