標題: 極紫外光(EUV)微影技術從光源建造、光罩、材料、製程到奈米元件可靠度研究(III)
Investigations on Extreme Ultraviolet Lithography (EUVL) from Beamline Construction, Masks, Materials, Processes, to Reliability of Nano Devices (III)
作者: 黃遠東
HUANG YANG-TUNG
國立交通大學電子工程學系及電子研究所
關鍵字: 次世代微影技術;極紫外光微影技術(EUVL);半導體製程;同步輻射光源;EUVL檢測技術;Next generation lithography (NGL);Extreme UV lithography (EUVL);Semiconductor;Synchrotron radiation;EUV metrology technology
公開日期: 2010
官方說明文件#: NSC99-2120-M009-004
URI: http://hdl.handle.net/11536/100667
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=2147801&docId=345725
顯示於類別:研究計畫


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