深次微米多晶矽鍺閘極金氧半電晶體之研製

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	黃調元	en_US
dc.contributor.author	TIAO-YUANHUANG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:46:17Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:46:17Z	-
dc.date.issued	2000	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC89-2215-E009-038	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/100704	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=720337&docId=135307	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	深次微米多晶矽鍺閘極金氧半電晶體之研製	zh_TW
dc.title	Fabrication and Charazterization of Deep Submicron MOS Transistor with Poly-SiGe Gate	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子工程研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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