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dc.contributor.author荊鳳德en_US
dc.contributor.authorCHIN ALBERTen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:48:59Z-
dc.date.available2014-12-13T10:48:59Z-
dc.date.issued2009en_US
dc.identifier.govdocNSC98-2120-M009-005zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/101497-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1892668&docId=313302en_US
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title金屬閘極/高介電係數材料互補式金氧半場效電晶體在45到22奈米世代之應用(II)zh_TW
dc.titleMetal-Gate/High-K Cmosfets for 45 to 22 Nm Technology Nodes (II)en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學電子工程學系及電子研究所zh_TW
顯示於類別:研究計畫


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  1. 982120M009005.PDF

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