| 標題: | 半導體元件及其製作方法 |
| 作者: | 張翼 林岳欽 張嘉華 金 海光 |
| 公開日期: | 16-六月-2013 |
| 摘要: | 本發明提出一種半導體元件及其製作方法。該半導體元件包含:三五族半導體層;一氧化鋁層,形成於該三五族半導體層上;以及一鑭系氧化物層,形成於該氧化鋁層上。該製造半導體元件的方法包含:形成一氧化鋁層於三五族半導體層與一鑭系氧化物層之間,以防止該三五族半導體層與該鑭系氧化物層之間的原子擴散作用。 |
| 官方說明文件#: | H01L021/20 H01L021/316 H01L029/94 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/103259 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | 201324587 |
| 顯示於類別： | 專利資料 |
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