标题: 自组式金属奈米岛阵列之制作方法
作者: 张原铭
庄振益
戴鸿名
王浩伟
曾文绶
高斌栩
张乐融
公开日期: 21-三月-2014
摘要: 一种自组式金属奈米岛阵列之制作方法,系藉由在一半导体基材上进行一溅镀制程,以形成一金属奈米岛阵列。利用此种制作方法,仅需单一溅镀制程,即可完成金属奈米岛阵列的制作,相较于习知,不仅可有效减少繁琐之制程步骤,更可进一步地节约能源、电力及制作成本。
官方说明文件#: B82B003/00
B82Y040/00
URI: http://hdl.handle.net/11536/103942
专利国: TWN
专利号码: I430938
显示于类别:Patents


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  1. I430938.pdf

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